Welcome,{$name}!

/ Odhlásiť sa
Slovenská
EnglishDeutschItaliaFrançais한국의русскийSvenskaNederlandespañolPortuguêspolskiSuomiGaeilgeSlovenskáSlovenijaČeštinaMelayuMagyarországHrvatskaDanskromânescIndonesiaΕλλάδαБългарски езикAfrikaansIsiXhosaisiZululietuviųMaoriKongeriketМонголулсO'zbekTiếng ViệtहिंदीاردوKurdîCatalàBosnaEuskera‎العربيةفارسیCorsaChicheŵaעִבְרִיתLatviešuHausaБеларусьአማርኛRepublika e ShqipërisëEesti Vabariikíslenskaမြန်မာМакедонскиLëtzebuergeschსაქართველოCambodiaPilipinoAzərbaycanພາສາລາວবাংলা ভাষারپښتوmalaɡasʲКыргыз тилиAyitiҚазақшаSamoaසිංහලภาษาไทยУкраїнаKiswahiliCрпскиGalegoनेपालीSesothoТоҷикӣTürk diliગુજરાતીಕನ್ನಡkannaḍaमराठी
Domov > Noviny > GlobalFoundries: Bol vyvinutý 3D čip Arm v 12nm balíku FinFET

GlobalFoundries: Bol vyvinutý 3D čip Arm v 12nm balíku FinFET

Podľa zahraničných médií spoločnosti Tom's Hardware, spoločnosť GlobalFoundries tento týždeň oznámila, že pomocou svojho procesu 12nm FinFET úspešne vybudovala vysoko výkonné čipy 3DArm.

"Tieto 3D čipy s vysokou hustotou prinesú nový výkon a energetickú účinnosť počítačovým aplikáciám, ako sú AI / ML (umelá inteligencia a strojové učenie) a špičkovým spotrebiteľským mobilným a bezdrôtovým riešeniam," povedal GlobalFoundries.

Podľa správ GlobalFoundries a Arm potvrdili metódu 3D design test (DFT) pomocou hybridného spájania doštičiek spoločnosti Groffont. Táto technológia podporuje až 1 milión 3D pripojení na milimeter štvorcový, vďaka čomu je vysoko škálovateľná a očakáva sa, že pre čipy 12nm3D poskytne dlhšiu životnosť.

Pokiaľ ide o technológiu 3D balenia, spoločnosť Intel minulý rok oznámila výskum v oblasti skladania 3D čipov. AMD hovoril aj o riešení superponovania 3D DRAM a SRAM na svojom čipe.