2019 Q2 Hynix bude vyrábať procesnú pamäť druhej generácie 10nm

  SK hynix nedávno odhalil, že spoločnosť zvýši svoju výrobu prvej generácie 10 nanometrov (tj 1X nm) výroby DRAM a začne predávať svoju druhú generáciu 10 nanometrových výrobných technológií (tiež známa ako 1 nm nm) v druhej polovici roka. ročne. Pamäť. Zrýchlenie prechodu na 10nm technológiu umožní spoločnosti zvýšiť výstup DRAM, čo v konečnom dôsledku zníži náklady a pripraví sa na pamäť novej generácie.

Prvými výrobkami vyrobenými výrobnou technológiou SK Hynix 1Y nm bude jej pamäťový čip DDR4-3200 s kapacitou 8 GB. Výrobca hovorí, že môže znížiť veľkosť čipu 8 GB zariadení DDR4 o 20% a znížiť spotrebu energie o 15% v porovnaní s podobnými zariadeniami vyrobenými s použitím technológie 1X nm. Pripravovaný čip SK hynix 8Gb DDR4-3200 má navyše dve dôležité vylepšenia: 4-fázovú schému a technológiu ovládania zosilňovača Sense.

Aj keď sú tieto technológie v tomto roku dôležité aj pre DDR4, hovorí sa, že SK hynix využije svoj výrobný proces 1Y nm na výrobu DDR5, LPDDR5 a GDDR6 DRAM. Spoločnosť Hynix preto musí čo najskôr vylepšiť svoju technológiu výroby druhej generácie 10 nanometrov, aby sa pripravila na budúcnosť.